产品概述

高纯镓（Ga）是一种银白色软金属，熔点仅 29.76°C，在室温下可呈液态。我们的 6N 级高纯镓纯度达到 99.9999%，杂质总含量低于 1 ppm，是制备 GaAs、GaN、GaP 等化合物半导体的核心原材料，广泛应用于 LED 外延生长、射频器件、太阳能电池及光纤通信领域。

不同纯度规格对比

根据下游应用对金属杂质含量的敏感度不同，高纯镓通常分为以下几个等级，用户可根据实际需求选择：

5N 级（99.999%）

适用于一般光电材料与合金添加场景，杂质总量 ≤10 ppm，成本较低，适合对纯度要求不极端的批量生产。

6N 级（99.9999%）

本款产品，杂质总量 ≤1 ppm，满足 GaAs 单晶衬底、GaN 基 LED 外延、高效砷化镓太阳能电池等高端应用需求，是化合物半导体外延生长的首选原料。

7N 级（99.99999%）

用于量子器件、高电子迁移率晶体管（HEMT）等前沿研究，对 Cu、Fe、Ni 等过渡金属杂质要求极严（单项 ≤0.01 ppm），需定制供应。

关键指标与检测

每批次产品均附带 GD-MS（辉光放电质谱）全元素分析报告，覆盖 60+ 种杂质元素的定量检测结果，确保 Cu、Fe、Ni、Pb、Cd 等关键金属杂质含量均低于客户规格要求。产品以高纯真空密封包装，充氩保护，防止氧化变质。

选型建议

LED 与光通信领域：推荐选用 6N 级，在纯度与成本之间取得最佳平衡，可满足 MOCVD 外延生长对源材料的要求。

太阳能电池（GaAs 多结）：建议 6N 级及以上，确保光电转换效率不受金属杂质复合中心影响。

科研与量子器件：需 7N 级定制，提前沟通杂质指标要求与交期。

如有特殊纯度或包装需求（如惰性气体手套箱内分装），请联系我们的技术团队获取定制方案。